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碳晶电热板是以碳纤维改性后进行球磨处理制成碳素晶体颗粒，将碳晶颗粒与高分子树脂材料碳晶电热板发热原理图解以特殊工艺合成制作的发热材料。其发热原理是在交变电场的作用下，碳晶电热板内部的碳原子之间产生并发生剧烈撞击和摩擦从而产生大量热能，并以远红外热辐射的形式对外传递热量，其电能与热能转换率98%以上。碳晶电热板在通电十几秒内，表面温度从环境温度迅速升高，并以恒定的温度对外进行加热，3-5分钟就可达到设定温度。这种产品具有高效、节能、经济、无污染、寿命长和温度可控等特点，使用成本仅为普通电采暖的一半左右。

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当传感器在被测压力的作用下，膜片即产生弹性位移，经传动机构传递，放大，使电刷在电位计上相应滑行，从而将压力转换成为电阻信号输出。体积小，油位电阻片工厂，重量轻，过载能力大，输出信号大，抗振动性能好，在较恶劣的工作环境下，工作可靠性高，使用方便，能作遥测及远距离传输。电位计式小型压力传感器可用于测量对4Cr13不锈钢不起腐蚀作用的液体，气体等介质的压力。

单片集成电路工艺

利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，平面工艺技术也随之得到发展。例如，扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺;紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术，如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等;外延生长又采用超高真空分子束外延技术;采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜;互连细线除采用铝或金以外，还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。